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世界初、半導体メモリ素子DRAMセルの熱とエントロピーを単電子スケールで同時測定 〜最小消費エネルギーの理論限界に迫る情報処理デバイス実現へ〜
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Source :
NTT
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NTT株式会社は、室温で動作する半導体メモリ素子(DRAMセル)において、電子数の変化を1個単位で検出可能なNTT独自のナノメートルスケール電子デバイスを用いた単電子検出技術により、熱とエントロピーを電子1個単位で同時に測定することに世界で初めて成功しました。
2026年4月23日
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